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Mikroskoplösungen für
die Herstellung von Halbleitern

Fotolithografie

Die Fotolithografie ist der Prozess, mit dem Strukturen für integrierte Schaltkreise auf den Wafer aufgebracht werden. Dieser Vorgang wird mehrmals wiederholt, um komplexe Schaltungsstrukturen zu erzeugen.

Messung der Lackdicke im Fotolack-Prozess

Der Prüfer druckt die entworfene Struktur mittels Fotolithografie auf den Siliziumwafer. Die Beherrschung der Fotolackdicke entscheidet dafür, ob die Struktur korrekt auf den Wafer gedruckt wird.

Unsere Lösung

Mit QWP-Filtern kann unser konfokales OLS5000 Lasermikroskop den Streulichteffekt vom Silizium unterdrücken und das Oberflächenprofil genau erfassen. Der Skip-Scan-Modus erleichtert zudem die schnelle Erfassung.

Laser-Scanning-Mikroskop der OLS-Serie

Laser-Scanning-Mikroskop der OLS-Serie

Fotolack mit MPLAPON100XLEXT

Fotolack, aufgenommen mit einem Objektiv MPLAPON100xLEXT

Streulicht

Streulicht

Unterdrückung von Streulicht

Unterdrückung von Streulicht

Anwendungsbeispiele

Weitere verwandte Anwendungen:

Stufenmessung einer auf einer Glasoberfläche aufgebrachten transparenten Folie
Stufenmessung einer auf einer Glasoberfläche aufgebrachten transparenten Folie Weitere Informationen
Bewertung der Beschichtung eines Smartphone-Gehäuses
Bewertung der Beschichtung eines Smartphone-Gehäuses/Schichtdickenmessung und 3D-Oberflächenprofilmessung mit einem Lasermikroskop Weitere Informationen

Prüfung auf Fotolack-Rückstände

Der Fotolack muss am Ende des Lithografieprozesses vollständig von den Wafern entfernt werden, da seine Rückstände zu Fehlfunktionen der elektrischen Schaltungen führen. Rückstände von Fotolacken sind aufgrund ihrer geringen Größe schwer zu erkennen.

Unsere Lösung

Die Fluoreszenzmikroskopie mit unserem Industriemikroskop der MX-Serie hellt die Rückstände zur leichteren Erkennung auf. Die Kombination des Mikroskops mit dem optionalen Auto-Wafer-Loader ermöglicht hocheffiziente Inspektionen.

Mikroskop der MX-Serie für die Halbleiterindustrie

Mikroskop der MX-Serie für die Halbleiterindustrie
(Fluoreszenz-Kombination)

Fluoreszenzmikroskopie zur Erkennung von Fotolack-Rückständen

Fluoreszenzmikroskopie zur Erkennung von Fotolack-Rückständen

Anwendungsbeispiele

Weitere verwandte Anwendungen:

Prüfung der Schaltkreisstruktur bei Wafer-Proben
Prüfung der Schaltkreisstruktur bei Wafer-Proben Weitere Informationen
Bewertung der Beschichtung eines Smartphone-Gehäuses
Erkennung von Produktionsfehlern auf Halbleiterwafern mit einem Digitalmikroskop Weitere Informationen

Prüfung von IC-Strukturen auf einem Wafer nach dem Ätzen

Als Substrat für einen Leistungshalbleiter wird ein Siliziumkarbid(SiC)-Wafer verwendet. Ein Prüfer prüft die Strukturabmessungen auf dem Wafer nach dem Ätzen. Da die Strukturgrößen immer kleiner werden, ist eine höhere Genauigkeit bei der Überprüfung erforderlich. Die Struktur (Trench) auf dem SiC-Wafer muss ebenfalls vermessen werden. Die Trenchgröße auf dem SiC-Wafer beträgt etwa 1 μm.

Unsere Lösung

Unsere Mikroskope der OLS-Serie können diese feinen Strukturen nach dem Ätzen messen.

Laser-Scanning-Mikroskop der OLS-Serie

Laser-Scanning-Mikroskop der OLS-Serie

Strukturen auf SiC-Wafer

Strukturen auf SiC-Wafer

Querschnitt eines SiC-Wafers

Querschnitt durch einen SiC-Wafer

Anwendungsbeispiele

Weitere verwandte Anwendungen:

Prüfung der Schaltkreisstruktur bei Wafer-Proben
Prüfung der Schaltkreisstruktur bei Wafer-Proben Weitere Informationen
Bewertung der Beschichtung eines Smartphone-Gehäuses
Erkennung von Produktionsfehlern auf Halbleiterwafern mit einem Digitalmikroskop Weitere Informationen
Messung der Dicke von Fotolackfilmen
Messung der Dicke von Fotolackfilmen Weitere Informationen

Erkennung von Strukturdefekten

An Wafern können Defekte durch Verschleiß der Fertigungsanlagen, unzureichende Justierung, menschliches Versagen und Verunreinigungen auftreten, die unbedingt erkannt werden müssen.

Unsere Lösung

Unsere Mikroskope der MX- und DSX-Serie können zur Prüfung von Fehlern eingesetzt werden. Der Bediener wählt eine geeignete Beobachtungsmethode, um Defekte mit geringer Vergrößerung zu erkennen und bestätigt dann die Art des Defekts mit hoher Vergrößerung. Unsere DSX-Serie (mit einem kundenspezifischen, großen Tisch) ermöglicht einen einfachen Arbeitsablauf und eine leichte Änderung der Beobachtungsmethoden.

Mikroskop der MX-Serie für die Halbleiterindustrie

Mikroskop der MX-Serie für die Halbleiterindustrie

Digitalmikroskop der DSX-Serie

Digitalmikroskop der DSX-Serie

DIC-Beobachtung mit hoher Vergrößerung

DIC-Beobachtung mit hoher Vergrößerung

Anwendungsbeispiele

Weitere verwandte Anwendungen:

Prüfung der Schaltkreisstruktur bei Wafer-Proben
Prüfung der Schaltkreisstruktur bei Wafer-Proben Weitere Informationen
Messung des Ausbruchvolumens integrierter Schaltkreise nach dem Dicing mit einem Digitalmikroskop
Messung des Ausbruchvolumens integrierter Schaltkreise nach dem Dicing mit einem Digitalmikroskop Weitere Informationen

Mikroskop der MX-Serie für die Halbleiterindustrie

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Digitalmikroskop der DSX-Serie

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