生産・販売終了製品
LEXT OLS4500は光学顕微鏡、走査型レーザー顕微鏡、走査型プローブ顕微鏡を一台に集約した複合型顕微鏡です。観察倍率は数十倍から百万倍の超ワイド領域をカバーし、観察ポイントを見失うことなくシームレスにミリからナノまでの観察、測定を実現します。
電動レボルバによる倍率、観察方法の切り替え | 低倍から高倍観察をカバーする4本の対物レンズとSPMユニットを電動レボルバに搭載。倍率、観察方法をシームレスに切り替えることができ、観察対象を見失いません。まさにナノをサーチできる顕微鏡です。 |
低倍から高倍まで幅広い倍率で観察が可能。さらに高度な光学技術に裏付けられた光学顕微鏡の多彩な観察方法で観察対象を容易に発見することができます。また光学顕微鏡では見えない観察対象をレーザー顕微鏡で見つけることもできます。レーザー微分干渉(DIC)観察ではナノレベルの微小凹凸のライブ観察も可能です。 |
サンプルをセットしてから全ての操作が1台の装置で行えます。観察対象を素早く、正確にSPM顕微鏡下にもってくること ができるため、1回の走査で目的のSPM画像が取得できます。
光学顕微鏡、レーザー顕微鏡、プローブ顕微鏡の一体型のため、サンプルを載せ替えることなく3つの顕微鏡を自在に切り替えて観察、評価が可能です。それぞれが優れた機能を持ち、 効率良く最適なアウトプットを得ることができます。 |
光源に白色LED光源を採用し、色再現性に優れた高解像カラー画像が観察できます。4本の対物レンズを搭載し低倍から高倍までの観察をカバーします。光学観察の特長を活かし、OLS4500では、最も使われる明視野観察(BF)をはじめ、微細な凹凸にコントラストをつけて立体的に可視化する微分干渉観察(DIC)、サンプルの偏光特性が色で表現される簡易偏光観察が可能です。また露光時間を変えて複数枚の画像を撮影、合成することでバランスのよい明るさ、テクスチャーを強調した画像を表示するHDR機能(ハイダイナミックレンジ機能)を装備。多彩な観察方法で観察対象を素早く探します。
短波長405nmのレーザー光源と高N.A.の専用対物レンズの採用により、高い平面分解能を実現。光学顕微鏡では見えなかった観察対象を鮮明な画像で観察することができます。レーザー微分干渉(DIC)ではナノレベルの微小凹凸のライブ観察も可能です。 |
低倍から高倍をカバーする4本の対物レンズと小型SPMユニットを電動レボルバに搭載。光学顕微鏡またはレーザー顕微鏡の50倍、100倍のライブ観察ではSPM走査範囲が視野中心に表示されるため、観察ポイントをこの位置に合わせた後、プローブ顕微鏡に切り替えるだけで観察対象に正確にアプローチすることができます。これにより目的の画像を1回のSPM走査で取得でき、作業の効率化、またカンチレバーの消耗を低減することができます。
カンチレバーの取り付けや走査範囲の設定など、プローブ顕微鏡で観察をするために必要な準備はガイダンス画面に従って行うことができます。これにより経験の少ない人でも安心して操作ができます。 |
新開発小型SPMヘッド | OLS4500では電動レボルバに装着する対物レンズ型SPMヘッドを採用。対物レンズとカンチレバー先端を同軸、同焦に配置しているため、SPM観察に切り替えても観察ポイントを見失うことがありません。さらに新開発した小型SPMヘッドは剛性を高めることで従来製品に比べて画像ノイズを低減し、追従性の向上を実現しました。 |
ナビゲータ機能によりプローブ顕微鏡で取得した画像の必要な部分を、さらに倍率を上げて観察することができます。画像上で拡大範囲をカーソルにより設定し走査を開始するだけで、目的のSPM画像が取得できます。走査範囲は自在に設定できるため観察・測定の効率が大幅に向上します。
ナビゲータ機能 10μmx10μmの画像上で3.5μmx3.5μmの範囲を拡大
曲率測定(ハードディスクのピット) | 各種測定モードで取得した画像は目的に応じた解析ができ、測定結果はCSV形式で出力できます。OLS4500では以下の解析機能があります。
|
カンチレバーとサンプル間で働く斥力が一定になるように制御しながらカンチレバーを静的に走査し、サンプルの高さを画像化します。フォースカーブ測定も可能です。
金属薄膜 |
カンチレバーを共振周波数付近で振動させ、振幅が一定になるようにZ方向の距離を制御することで、サンプルの高さを画像化します。特に高分子化合物のように表面が柔らかいサンプルや粘着性のあるサンプルに適しています。
アルミニウム表面 |
ダイナミックモードで走査中に、カンチレバー振動の位相遅れを検出します。サンプル表面の物性の違いを画像化できます。
ポリマーフィルム |
サンプルにバイアス電圧を印加し、カンチレバーとサンプル間に流れる電流を検出し、画像化します。また、I/V測定も可能です。
Si基板上のSiO2パターンサンプルです。高さ像(左)で黄色く見える部位がSiO2です。電流像(右)では青色(電流が流れない部位)に表示されています。基板上にも流れない部分があることがわかります。 |
導電性のカンチレバーを用いて交流電圧を印加し、カンチレバーとサンプル表面間に働く静電気力を検出し、サンプル表面の電位を画像化します。KFM(Kelvin Force Microscope)とも呼びます。
磁気テープサンプルです。電位像では数百mVの電位差が面内分布していることがわかります。これらの電位差の分布は、テープ表面に存在する潤滑膜のムラを反映していると考えられています。 |
磁化されたカンチレバーを位相モードにて走査し、振動しているカンチレバーの位相遅れを検出し、サンプル表面の磁気情報を画像化します。MFM(Magnetic Force Microscope)とも呼びます。
ハードディスク表面サンプルです。磁気情報(右)が観察されています。 |
高N.A.の専用対物レンズと、405nmレーザーの性能を最大限に引き出す専用光学系により、OLS4500は、今まで測ることのできなかった急峻な角度を持つサンプルでも、測定することが可能です。
LEXT 専用対物レンズ | 急峻な角度を持つサンプル(カミソリ) |
短波長405nmのレーザー光と高N.A.の専用対物レンズの採用により、最大0.12μmの平面分解能を実現。サンプル表面のサブミクロンの測定が可能になります。さらに高精度リニアスケールとオリンパス独自の輝度検出技術により、サブミクロンから数百ミクロンの高さの違いを検知することが可能です。またレーザー顕微鏡による測定では測定機の2つの指標である「正確性」(真値への近さ)と「繰り返し性」(ばらつきの小ささ)の両方を性能保証しています。
0.12μmライン&スペース | STEP高さ標準Bタイプ、PTB- 5、ドイツ、マイクロエレクトロニクス研究所 6nm段差を検知 |
高倍率画像では視野範囲が狭くなりますが、ステッチング機能により、最大625枚までの画像を貼り合わせ、高分解能かつ広視野範囲の画像データを得ることができます。さらに、この広視野画像で3D表示や3D計測を行うことが可能です。
近年、工業製品の小型軽量化が進み、製品を構成する部品にもさらなる微細化が求められるようになりました。この部品の微細化に伴い、形状測定のみならず表面粗さ測定の重要性が高まっています。 このような市場のニーズを反映し、ISOで規定する三次元面性状測定機としてレーザー顕微鏡、AFMが加わりました(ISO25178-6)。これにより従来の接触式表面粗さ測定と同様に非接触表面粗さが公の評価基準として認められました。OLS4500ではISOに準拠した粗さパラメーターを搭載しています。 |
非接触表面粗さ測定では、線粗さに加えて面粗さを測定することができます。面粗さ測定ではサンプル表面上で設定した領域の分布や特徴を捉えることができ、3D画像と照らし合わせた評価が可能です。OLS4500ではレーザー顕微鏡機能による表面粗さ、プローブ顕微鏡による表面粗さがそれぞれ測定でき、サンプルや目的によって使い分けることができます。
レーザー顕微鏡による面粗さ測定(105μmx105μm)
ボンディングパッド | プローブ顕微鏡による面粗さ測定(10μmx10μm) |
OLS4500は、触針式表面粗さ測定機と同様の粗さ(2次元)パラメーターを 搭載しています。触針式表面粗さ測定機と同様の操作性、互換性のある測定結果を得ることができます。
断面曲線 | Pp, Pv, Pz, Pc, Pt, Pa, Pq, Psk, Pku, Psm, PΔq, Pmr(c), Pδc, Pmr |
粗さ曲線 | Rp, Rv, Rz, Rc, Rt, Ra, Rq, Rsk, Rku, Rsm, RΔq, Rmr(c),Rδc, Rmr, RZJIS, Ra75 |
うねり曲線 | Wp, Wv, Wz, Wc, Wt, Wa, Wq, Wsk, Wku, Wsm, WΔq, Wmr(c), Wδc, Wmr |
負荷曲線 | Rk, Rpk, Rvk, Mr1, Mr2 |
モチーフ | R, Rx, AR, W, Wx, AW, Wte |
粗さ( JIS1994) | Ra(JIS1994), Ry, Rz(JIS1994), Sm, S, tp |
その他 | R3z, P3z, PeakCount |
OLS4500は、ISO25178準拠した粗さ(3次元)パラメーターを搭載しています。面領域での評価を行うことで、より信頼性の高い解析が可能です。
振幅パラメーター | Sq, Ssk, Sku, Sp, Sv, Sz, Sa |
機能パラメーター | Smr(c), Sdc(mr), Sk, Spk, Svk, SMr1, SMr2, Sxp |
体積パラメーター | Vv(p), Vvv, Vvc, Vm(p), Vmp, Vmc |
横方向パラメーター | Sal, Str |
レーザー顕微鏡の高解像XY走査(イメージ) | 光学顕微鏡の平面分解能は使用する光の波長に大きく依存します。短波長のレーザー光を使うレーザー顕微鏡は、可視光を使う従来の顕微鏡に比べて平面分解能に優れています。OLS4500では、405nmの短波長半導体レーザーを採用し、高開口数(N.A.)の専用対物レンズ、共焦点光学系を組み合わせることで最大0.12μmの平面分解能を実現しています。またオリンパス独自の2次元スキャナーによるXY走査で最大4096ピクセル x 4096ピクセルの高解像走査を可能にしています。 |
段差測定(マイクロレンズ) | レーザー顕微鏡では、短波長の半導体レーザーと共焦点光学系の採用により、焦点が合った反射光を検知し、焦点が合わない部分の反射光は除外されます。高精度のリニアスケールと組み合わせることで、正確な3次元測定が可能になります。 |
プローブ顕微鏡の原理 | 先端曲率が10nm程度の微小な探針(プローブ)をサンプル表面に近づけ、サンプルとの間に発生する力学的・電気的相互作用を検出しながら走査し、3次元的に観察する顕微鏡を総称してプローブ顕微鏡(SPM)といいます。代表的なものとして探針とサンプル表面の間に働く引力や斥力を検出して走査し画像を得る、原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)があります。ナノレベルで観察することで、サンプルの姿を精細に捉えることができます。 |
SPMセンサー部光路図 | OLS4500では先端に探針(プローブ)を配置したカンチレバーの微小なたわみ量(変位)を高感度に検出する光てこ方式を採用。レーザー光をカンチレバー背面で反射させ、フォトディテクターの一定した位置に当たるようにピエゾ素子でZ駆動させ、微小なZ向の変位を正確に読み取ります。 |
ポリマーフィルム | プローブ顕微鏡の多彩なモードにより、サンプル表面の形状観察、測定、さらに物性の解析ができます。OLS4500では以下のモードに対応しています。
|
探針(プローブ)は長さ100μmから200μm程度の薄い板状カンチレバーの先端に形成されています。カンチレバーはサンプルに応じてバネ定数、共振周波数を選択します。走査を繰り返すことにより探針(プローブ)は磨耗するため、必要に応じてまたは定期的にカンチレバーチップを交換します。
プローブ顕微鏡の平面分解能は探針(プローブ)の先端径により決まります。オリンパスが自社開発・生産するカンチレバーは探針先端の尖りを安定した品質で保ち、高い信頼性を実現しています。また探針位置決めが容易な「TipView」構造や、ピンセットでつまみやすい「新コンセプトチップ」など独自のデザインにより精度だけでなく使いやすさにも優れています。
※カンチレバー製品カタログを別途用意しています。
高いQ値で高分解能測定
最も使われるダイナミックモード用カンチレバーで、表面粗さ測定に適 しています。
再現性の良い粘弾性測定が可能
ダイナミックモード用シリコンカンチレバーとしては一番小さいバネ定数《2N/m(Nom.)》を持ち、粘弾性の測定等に適しています。
低摩耗・優れた耐久性
コンタクトモード測定に広く使われており、カンチレバーの柔らかさと探針磨耗の少なさが特徴です。1チップに100μmと200μm長の2種類のカンチレバーが付いています。
カンチレバーは使用頻度に応じて交換が必要です。OLS4500では電動レボルバ、SPMヘッド、カンチレバーホルダーが厳密に調整されており、カンチレバーの位置が調整されたホルダーをSPMヘッドに挿入するだけでセットが完了します。カンチレバーとホルダーの位置調整は専用治具を使用するため、誰でも正確かつ簡単にできます。またさまざまなタイプのカンチレバーも同じ手順で交換ができ、観察、測定の効率が向上します。
カンチレバー位置調整専用治具 |
LSM部 > 光源・検出系 | 光源:405nm半導体レーザー、検出系:フォトマルチプライヤー |
---|---|
LSM部 > 総合倍率 | 108~17,280X |
LSM部 > ズーム | 光学ズーム:1~8X |
LSM部 > 測定 > 平面測定 > 繰り返し性 | 100x : 3σn-1=0.02μm、50x:3σn-1=0.04μm、20x:3σn-1=0.1μm |
LSM部 > 測定 > 平面測定 > 正確さ | 測定値の±2%以内 |
LSM部 > 測定 > 高さ測定 > 方式 | レボルバ上下駆動方式 |
LSM部 > 測定 > 高さ測定 > ストローク | 10mm |
LSM部 > 測定 > 高さ測定 > 内蔵スケール | 0.8nm |
LSM部 > 測定 > 高さ測定 > 移動分解能 | 10nm |
LSM部 > 測定 > 高さ測定 > 表示分解能 | 1nm |
LSM部 > 測定 > 高さ測定 > 繰り返し性 | 100x :σn-1= 0.012μm、50x:σn-1=0.012μm、20x:σn-1=0.04μm |
LSM部 > 測定 > 高さ測定 > 正確さ | 0.2+L/100μm以下(L=測定長μm) |
LSM部 > カラー観察部 > 光源・検出系 | 光源:白色LED、検出系:1/1.8インチ200万画素単板CCD |
LSM部 > カラー観察部 > ズーム | デジタルズーム:1~ 8X |
LSM部 > レボルバ | 6穴電動レボルバ |
LSM部 > 微分干渉ユニット | 微分干渉スライダ:U-DICR、偏光板ユニット内蔵 |
LSM部 > 対物レンズ | 明視野プランセミアポクロマート5X LEXT専用プランアポクロマート20X、50X、100X |
LSM部 > Z焦準部ストローク | 76 mm |
LSM部 > XYステージ | 100 x 100mm(電動ステージ) |
SPM部 > 動作モード | コンタクトモード、ダイナミックモード、位相モード、電流モード*、表面電位モード(KFM)*、磁気力モード(MFM)* |
SPM部 > 変位検出系 | 光てこ方式 |
SPM部 > 光源 | 659nm 半導体レーザー |
SPM部 > 検出器 | フォトディテクター |
SPM部 > 最大走査範囲 | X-Y:最大 30μm x 30μm、Z:最大 4.6μm |
SPM部 > カンチレバー取り付け | カセット式カンチレバーホルダーによるワンタッチ取り付け。カンチレバー取り付け位置調整専用治具によるプリアライメントにより、ホルダー交換時の光学調整は不要 |
システム > 総質量 | 約440kg(テーブルは除く) |
システム > 入力定格 | 100-120V/220-240V、600VA、50/60Hz |
*オプションです。
型式 | 倍率 | 視野 | 作動距離(W.D.) | 開口数(N.A.) |
MPLFLN5X | 108~864X | 2,560~320μm | 20.0mm | 0.15 |
MPLAPON20XLEXT | 432~3,456X | 640~80μm | 1.0mm | 0.60 |
MPLAPON50XLEXT | 1,080~8,640X | 256~32μm | 0.35mm | 0.95 |
MPLAPON100XLEXT | 2,160~17,280X | 128~16μm | 0.35mm | 0.95 |
用途 | 型名 | タイプ | チップ数 | カンチレバー | 探針 | 材質 | 金属膜コート | ||
共振周波数(kHz) | バネ定数 (N/m) |
高さ
(μm) |
先端半径
(nm) |
探針/
レバー |
探針コート/
反射コート | ||||
ダイナミックモード/ 位相モード | OMCL-AC160TS-C3 | 標準シリコン | 24 | 300 | 26 | 14 | 7 | Si / Si | 無し/Al |
OMCL-AC240TS-C3 | 低バネ定数シリコン | 24 | 70 | 2 | 14 | 7 | Si / Si | 無し/Al | |
コンタクトモード | OMCL-TR800PSA-1 | 標準窒化シリコン | 34 | 73 / 24 | 0.57 / 0.15 | 2.9 | 7 | SiN / SiN | 無し/Au |
表面電位モード | OMCL-AC240TM-B3 | 電気測定用シリコン | 18 | 70 | 2 | 14 | 15 | Si / Si | Pt/Al |
● カンチレバー、探針の機械特性および寸法は代表値です
● カンチレバーは非常に小さく、目に入ったり、誤飲する危険があるので注意してください
● 電流モード、磁気力モードで使用するカンチレバーについては販売店にお問い合わせください
● 上記以外のカンチレバーもご用意しています。詳しくは販売店にお問い合わせください
DVD表面 (走査エリア 5μm x 5μm 3D画像) DVD記録面のピットと表面状態が良好に観察されています。 | ビッカース圧痕 (走査エリア 20μm x 20μm 3D画像) 圧痕の頂角から伝搬しているクラックが鮮明に観察されています。 |
TiO2単結晶基板 (走査エリア 5μm x 5μm 3D画像) 約0.3nmのTiO2(酸化チタン)の原子ステップが観察されています。 | ICパターンホール (走査エリア 4μm x 4μm 3D画像) パターン表面に付着した微小な異物(白い部分)が観察されています。 |
ポリマーフィルム (走査エリア 10μm x 10μm 3D 画像) フィルム表面の傷(中央左)が観察されています。 | アルミニウム陽極酸化皮膜 (走査エリア 1.8μm x 1.8μm 表面電位モード(KFMモード)左: 高さ像 右:電位像) アルミニウム陽極酸化皮膜の表面形状(左)と同時に、表面電位(右)を観察しました。 形状像には表れていない網目状の構造が電位像で明らかになりました。 |
カラー印刷 光学顕微鏡(50x) | カラー印刷 SPM(走査エリア 5μm x 5μm 3D画像) |
乳酸菌 LSM(走査エリア 100μm x 100μm) | 乳酸菌 SPM (走査エリア 20μm x 20μm 高さ画像) |
トナー粒子 LSM (走査エリア 80μm x 80μm 右上: 10μm x 10μm) | トナー粒子 SPM(走査エリア 1μm x 1μm 3D画像) |
您即将被转换到我们的本地网站。