顕微鏡ソリューション
半導体製造工程
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スライスと研磨
次にインゴットをスライスします。 スライスされた薄いシリコンプレートはウェハと呼ばれます。
回路パターンが確実に形成されるように、ウェーハの上面と下面を研磨して平らにします。
ウェハを研磨した後、レーザーマーキング装置でシリアルNo.などをマーキングします。
オリンパスOLS5000は、研磨後のウェハの表面粗さを計測できます。
ウェハの表面粗さ
正確なICパターンを完全に形成するためには、ウェハ表面の凹凸を均一にする必要があります。そのため研磨後のウェハ表面粗さの詳細な検査が必要です。
私たちのソリューション
OLSシリーズは、表面研磨後のウェハの表面粗さの状態を正確に把握できます。 また、OLSシリーズはミクロンレベルとナノレベルの両方でウェハ表面粗さを測定できます。
 3D測定レーザー顕微鏡 OLS 5000 |  ウェハの表面粗さ |
アプリケーションノート
関連アプリケーションの詳細情報をご参照ください。
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レーザーマークの形状確認
各ウェハには独自のIDがあり、それによって各ウェハが識別されます。 IDはレーザーでマーキングされ、レーザーマークと呼ばれています。 正確に判別できるようにレーザーマークの寸法を管理する必要がありますが、レーザーマークのサイズはミクロンレベルの大きさです。 そのため微小な寸法を測定するための測定機器が必要です。
私たちのソリューション
OLSシリーズの3D測定により、レーザーマークの寸法を正確に測定できます。
3D測定レーザー顕微鏡 OLS 5000 |  レーザーマーク外観 |  レーザーマーク断面 |
アプリケーションノート
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