
| Abbiamo adottato una nuova tecnologia produttiva per creare obiettivi offrendo simultaneamente un'apertura numerica, una distanza di lavoro e una planarità delle immagini migliorate. Le loro alta apertura numerica (NA) e la distanza di lavoro da 3 mm migliorano il campo visivo e la qualità di immagini dal centro al bordo, in grado di permettere una maggiore produttività nell'ispezione automatizzata del semiconduttore. Sono disponibili obiettivi in campo chiaro 20X e 50X. | ![]() |
MXPLFLN50X
L'MXPLFLN50X è il nostro primo obiettivo 50X con un'apertura numerica di 0,8 e una distanza di lavoro di 3 mm. In confronto all'obiettivo LMPLFLN100X il campo visivo è quattro volte maggiore grazie alla NA di 0,8 e all'ingrandimento 50X.
MXPLFLN20X
L'MXPLFLN20X è il nostro primo obiettivo 20X con un'apertura numerica di 0,6 e una distanza di lavoro di 3 mm. La sua elevata NA e l'alta planarità dell'immagine permettono di produrre delle immagini omogenee ideali per lo stitching.
| Ingrandimento [X] | 20 |
|---|---|
| Apertura numerica (NA) | 0,6 |
| Distanza di lavoro (WD) [mm] | 3 |
| Indice di campo dell'obiettivo | 26,5 |
| Mezzo di immersione | Aria/Secco |
| Meccanismo a molla | N/A |
| Collare di correzione | N/A |
| Intervallo di correzione del collare di correzione | N/A |
| Iris | N/A |
| Livello di correzione dell'aberrazione cromatica | Semi-apochromat (FL) |
| Distanza parafocale [mm] | 45 |
| Posizione del piano retrofocale (BFP) | -8,0 |
| Tipo di filetto | W20,32 × 0,706 (RMS) |
| Campo chiaro (luce riflessa) | Buono |
| Campo chiaro (luce trasmessa) | Buono |
| Campo scuro (luce riflessa) | N/A |
| Campo scuro (luce trasmessa) | N/A |
| DIC (luce riflessa) | Buono |
| DIC (luce trasmessa) | N/A |
| Contrasto di fase | N/A |
| Contrasto in rilievo | N/A |
| Luce polarizzata | Limitato |
| Fluorescenza (Eccitazione B, G) | Buono |
| Fluorescenza UV (a 365 nm) | N/A |
| Multifotonica | N/A |
| TIRF | N/A |
| IR | N/A |
| WLI | N/A |
| Messa a fuoco automatica | Buono |


| Ingrandimento [X] | 50 |
|---|---|
| Apertura numerica (NA) | 0,8 |
| Distanza di lavoro (WD) [mm] | 3 |
| Indice di campo dell'obiettivo | 26,5 |
| Mezzo di immersione | Aria/Secco |
| Meccanismo a molla | N/A |
| Collare di correzione | N/A |
| Intervallo di correzione del collare di correzione | N/A |
| Iris | N/A |
| Livello di correzione dell'aberrazione cromatica | Semi-apochromat (FL) |
| Distanza parafocale [mm] | 45 |
| Posizione del piano retrofocale (BFP) | -8,0 |
| Tipo di filetto | W20,32 × 0,706 (RMS) |
| Campo chiaro (luce riflessa) | Buono |
| Campo chiaro (luce trasmessa) | Buono |
| Campo scuro (luce riflessa) | N/A |
| Campo scuro (luce trasmessa) | N/A |
| DIC (luce riflessa) | Buono |
| DIC (luce trasmessa) | N/A |
| Contrasto di fase | N/A |
| Contrasto in rilievo | N/A |
| Luce polarizzata | Limitato |
| Fluorescenza (Eccitazione B, G) | Buono |
| Fluorescenza UV (a 365 nm) | Buono |
| Multifotonica | N/A |
| TIRF | N/A |
| IR | N/A |
| WLI | N/A |
| Messa a fuoco automatica | Buono |


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