Микроскопы для применения
в сфере производства полупроводников
Резка и полировка
Нарезка слитка на тонкие кремниевые (полупроводниковые) пластины. Полировка верхней и нижней поверхностей пластин. За счет этого пластина приобретает необходимую гладкость для нанесения рельефа схемы. На следующем этапе на полупроводниковую пластину наносится лазерная маркировка.
Контроль шероховатости поверхности полупроводниковой пластины
Для точного нанесения рельефа ИС поверхность полупроводниковой пластины должна быть достаточно гладкой. Именно поэтому после этапа полировки требуется тщательный контроль шероховатости поверхности.
Наше решение
Наши микроскопы серии OLS способны детально отображать состояние шероховатости поверхности полупроводниковой пластины, прошедшей этап полировки. Они также позволяют выполнять измерения шероховатости в микро и нано диапазонах.
 Лазерный сканирующий микроскоп серии OLS |  Шероховатость поверхности полупроводниковой пластины |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
 |
| ||
 |
|
Контроль размеров маркировки
На каждую полупроводниковую пластину наносится идентификационный знак методом лазерной гравировки. Поскольку с развитием технологий наносимые лазером знаки становятся все меньше (микронный диапазон), изготовителям необходимо высокоточное контрольное оборудование, способное измерять малые объекты.
Наше решение
Наш микроскоп серии OLS способен в деталях воспроизводить изображения состояния шероховатости поверхности полупроводниковой пластины после ее полировки. Он позволяет выполнять измерения шероховатости в микро и нано диапазонах.
Лазерный сканирующий микроскоп серии OLS |  Общий вид нанесенного лазером знака |  Поперечный срез нанесенного лазером знака |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
 |
| ||
 |
| ||
 |
|