Микроскопы для применения
в сфере производства полупроводников
- Главная
- Микроскопы для применения в сфере производства полупроводников
- Монтаж проволочных межсоединений
Монтаж проволочных межсоединений
Кристаллы ИС подсоединяются к внешним устройствам посредством проволочных межсоединений. Монтаж проволочных межсоединений — это метод приваривания кристаллов ИС к выводной рамке. Проволочные межсоединения прикрепляются к выводной рамке и алюминиевой подложке кристалла ИС посредством комбинированного применения придавливания, ультразвуковой энергии и термокомпрессии.
Анализ качества поверхности выводных рамок
Кристаллы ИС соединяются с внутренними выводами выводных рамок посредством проволочных выводов. Неровности на поверхности выводов могут стать причиной некорректного монтажа проволочных межсоединений, поэтому очень важно измерять шероховатость поверхности выводов. Еще одной сложностью является то, что по мере уменьшения размеров корпусов ИС уменьшается и диаметр выводов.
Наше решение
Наш микроскоп серии OLS способен формировать четкие изображения ультратонких выводов для измерения шероховатости. Основным параметром при измерении шероховатости выводной рамки является R-соотношение, и в микроскопе серии OLS этот параметр есть.
 Лазерный сканирующий микроскоп серии OLS |  Изображение, полученное с помощью микроскопа |  Шероховатость поверхности |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
 |
| ||
 |
| ||
 |
|
Контроль расположения шариковых выводов
Шариковые выводы (сферические концы проволочных выводов) должны быть расположены в определенных позициях на алюминиевой подложке для корректной передачи электрического сигнала. При размещении шариковых выводов за пределами подложки потребуется изменение настроек установки для присоединения кристаллов. Именно поэтому важно контролировать положение шариковых выводов.
Наше решение
Наш измерительный микроскоп серии STM с функцией большого увеличения позволяет точно измерять положение шариковых выводов при максимальном увеличении.
 Измерительный микроскоп серии STM |  Шариковый вывод |  Шариковый вывод за пределами подложки |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
|
| ||
|
| ||
 |
|
Измерение высоты проволочной петли
Поскольку при контакте проволочного вывода с кристаллом или корпусом ИС происходит короткое замыкание, необходимо контролировать высоту проволочной петли. Измерять высоту проволочных петель с помощью бюджетного оборудования сложно, поскольку проволока очень тонкая, а диаметр петель мал. Кроме того, измерения проволоки и кристаллов ИС должны выполняться бесконтактным методом.
Наше решение
Наш измерительный микроскоп серии STM с длинным рабочим расстоянием и объективом большого увеличения (>50X) позволяет точно измерять высоту петель. Дополнительные функции, такие как автофокус или навигатор фокусировки, помогают повысить точность и достоверность измерений.
Измерительный микроскоп серии STM |  Высота петли проволочного вывода |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
|
| ||
|
| ||
|
|
Контроль дефектов проволочных выводов
Ширина проволочного вывода может составлять всего 15–30 мкм. Мельчайший дефект на проволочном выводе может нарушить качество передачи электрического сигнала. Такие мелкие дефекты очень сложно обнаружить методом визуального контроля.
Наше решение
Наш цифровой микроскоп DSX1000 способен обнаруживать мелкие дефекты на проволочных выводах, такие как трещины и царапины.
 Цифровой микроскоп серии DSX |  Проволочный вывод (75Х) |  Проволочный вывод (150Х) |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
|
| ||
|
| ||
 |
|
Контроль брызг от алюминиевой подложки
В процессе ультразвуковой сварки от алюминиевой подложки могут разлетаться брызги. Если отлетевшая капля осядет на соседней подложке или области контакта между шариковым выводом и подложкой, это приведет к короткому замыканию. В этом случае необходимо изменение настроек ультразвуковой сварки для уменьшения количества брызг.
Для этого типа контроля обычно используется сканирующий электронный микроскоп (SEM), но этот метод затратный по времени. Обнаружить брызги с помощью интерферометра также непросто.
Наше решение
Наш лазерный конфокальный микроскоп OLS5000 позволяет быстро обнаруживать алюминиевые брызги.
Лазерный сканирующий микроскоп серии OLS |  |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
|
| ||
|
| ||
|
|
Контроль пустот и коррозии на сварном шве
Пустоты и коррозия в зоне сварки ухудшают качество передачи электрического сигнала, поэтому важно выполнять тщательный контроль. При обнаружении пустот и коррозии необходимо отрегулировать прочность сварного соединения.
Для этого типа контроля обычно используется сканирующий электронный микроскоп (SEM), но этот метод затратный по времени.
Наше решение
Наш лазерный конфокальный микроскоп OLS5000 способен получать четкие изображения при коэффициенте увеличения 9000Х, позволяя быстро исследовать поперечные сечения сварного шва.
Лазерный сканирующий микроскоп серии OLS |  Пустоты в сварном шве |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
|
| ||
|
| ||
 |
|
Исследование в инфракрасном (ИК) свете
Перевернутый кристалл — это тип кристалла интегральной схемы (ИС), который имеет электродные выводы на оборотной поверхности. Такой дизайн помогает сократить площадь, занимаемую элементом на печатной плате. Ненадлежащее соединение и поврежденный рельеф ИС на перевернутом кристалле могут привести к неисправностям, при этом обнаружить дефекты монтажа сложно, поскольку зона контакта не видна по завершении корпусирования.
Наше решение
Режим ИК-визуализации в промышленных микроскопах серий BX и MX позволяет выполнять неразрушающее наблюдение внутренних структур перевернутого кристалла после корпусирования за счет проводящих свойств кремния. Такой метод контроля также используется для полупроводниковых пластин с МЭМС.
 Металлографический микроскоп серии BX с ИК-модулем |  Микроскоп серии MX для анализа полупроводников с ИК-модулем |  Перевернутый кристалл |
Указания по применению
Подробнее об областях применения:
|
| ||
|
| ||
|
|
Металлографический микроскоп серии BX | Микроскоп серии MX для анализа полупроводников |